AOI468技术参数

AOI468是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用TO-251A（TO252）封装。该器件基于先进的平面MOSFET技术构建，其核心设计旨在实现高耐压与低导通损耗之间的优异平衡。其300V的漏源击穿电压（Vdss）为开关电源的初级侧或电机驱动等应用提供了充足的电压裕量，而优化的单元结构有效降低了寄生电容，提升了开关速度与效率。

在电气特性方面，AOI468在10V驱动电压下展现出卓越的导通性能，其导通电阻（Rds(on)）在6A电流条件下典型值仅为420毫欧。这一低导通电阻特性直接转化为更低的传导损耗，对于提升系统整体效率至关重要。同时，该器件的栅极电荷（Qg）最大值控制在16nC（@10V），较低的栅极电荷意味着驱动电路所需的开关能量更小，有助于简化驱动设计并降低开关损耗，尤其适合高频开关应用。

该MOSFET具备宽泛的工作温度范围，其结温（Tj）支持从-50°C到175°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下额定值为11.5A，配合高达150W（Tc）的功率耗散能力，赋予了其强大的电流处理与散热潜力。在接口与参数层面，其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±30V，提供了稳健的驱动兼容性；输入电容（Ciss）最大值为790pF（@25V），与低栅极电荷共同构成了快速开关的基石。对于需要稳定供货与技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理进行采购与咨询。

得益于其300V/11.5A的规格组合以及优异的动态与静态参数，AOI468非常适用于要求高效率和高可靠性的功率转换场景。典型应用包括开关电源（SMPS）的初级侧功率开关、功率因数校正（PFC）电路、直流-直流转换器以及电机驱动和逆变器中的功率开关模块。其TO-251A封装形式兼顾了功率密度与通孔安装的便利性，是工业控制、消费类电子电源适配器及照明驱动等领域中高性能功率开关的理想选择。

• 制造商产品型号：AOI468
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N CH 300V 11.5A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：300V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：11.5A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：420 毫欧 @ 6A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：16nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：790pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：150W（Tc）
• 工作温度：-50°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-251A
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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