AON6758_103技术参数

作为Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) AlphaMOS产品系列中的一员，AON6758_103是一款采用先进沟槽技术的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷，从而在开关应用中显著降低传导损耗和开关损耗。该器件采用紧凑的8-DFN（5x6）表面贴装封装，在提供出色电气性能的同时，也满足了现代高密度PCB布局对空间效率的严苛要求。

该MOSFET的关键电气特性使其在众多应用中表现出色。其漏源电压（Vdss）额定值为30V，能够适用于常见的12V或24V总线系统。在25°C环境温度下，连续漏极电流（Id）可达27A，而在管壳温度条件下更能达到32A，展现了其强大的电流处理能力。更值得关注的是，其在10V驱动电压、20A测试条件下的导通电阻（Rds(On)）最大值仅为3.6毫欧，这一极低的阻抗直接转化为更低的功率耗散和更高的系统效率。此外，其最大栅极电荷（Qg）仅为40nC @ 10V，有助于简化驱动电路设计并实现高速开关。

在接口与参数方面，AON6758_103具备宽泛的工作电压与温度范围。其栅源电压（Vgs）可承受±20V，提供了良好的栅极驱动鲁棒性。阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.4V，确保了与标准逻辑电平或微控制器GPIO口的良好兼容性。器件集成了体二极管（肖特基二极管功能），为感性负载提供了续流路径。其最大功率耗散在环境温度下为4.1W，在管壳温度下高达41W，结合-55°C至150°C的结温工作范围，使其能够适应苛刻的热环境。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过AOS中国代理获取该产品的详细信息与供货服务。

凭借上述综合性能，AON6758_103非常适合于对效率和功率密度有高要求的应用场景。它常被用于同步整流、电机驱动、负载开关以及DC-DC转换器（尤其是降压和升降压拓扑）中的高侧或低侧开关。其低导通电阻和快速开关特性使其成为服务器电源、通信设备、电动工具、无人机电调以及汽车辅助系统等领域的理想选择，能够有效提升终端产品的整体能效与可靠性。

• 制造商产品型号：AON6758_103
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 27A/32A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：AlphaMOS
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：27A（Ta），32A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：40nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1975pF @ 15V
• FET功能：肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）：4.1W（Ta），41W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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