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AO4292E技术参数

  • 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:8-SOIC
  • 技术参数:MOSFET N-CH 100V 8A 8SOIC
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AO4292E技术参数详情说明:

AO4292E是一款由Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS)设计生产的N沟道功率MOSFET,采用成熟的平面硅工艺制造,并封装于标准的8-SOIC表面贴装封装内。其核心架构旨在实现高电压下的高效开关与功率处理能力,内部通过优化的单元设计降低了导通电阻,同时确保了栅极电荷的合理控制,从而在开关速度与驱动损耗之间取得了良好平衡。

该器件的一个突出特性是其100V的漏源击穿电压(Vdss)额定值,这使其能够稳定工作在多种中压应用环境中。在25°C环境温度下,其连续漏极电流(Id)额定值为8A,提供了可观的电流承载能力。表面贴装的8-SOIC封装形式使其非常适合自动化生产流程,并有助于在紧凑的PCB布局中实现高功率密度。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过官方授权的AOS代理商获取产品信息与技术支持。

在电气参数方面,AO4292E的设计重点在于提供稳健的开关性能。虽然具体的导通电阻(Rds(on))、栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)等动态参数未在基础规格中详细列出,但其100V/8A的额定组合本身即指向了其在开关电源、电机控制等场合中对效率和可靠性的要求。用户在实际应用设计中,需参考更详细的数据手册以获取完整的电气特性曲线和热性能参数,从而进行精确的电路设计和热管理。

基于其电压与电流规格,AO4292E典型的应用场景包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、低压电机驱动电路、电池保护模块以及各类需要中功率开关功能的工业与消费电子设备。其设计旨在满足这些应用中对效率、尺寸和成本的核心诉求。需要注意的是,此型号目前已处于停产状态,在进行新设计选型时,工程师应考虑寻找功能相似的替代产品或咨询制造商以获取最新的产品线信息。

  • 制造商产品型号:AO4292E
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 8A 8SOIC
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • FET类型:-
  • 技术:-
  • 漏源电压(Vdss):-
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):8A(Ta)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):-
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):-
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):-
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):-
  • Vgs(最大值):-
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):-
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:8-SOIC
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴,我们长期提供AO4292E现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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