AON6758_104技术参数

AON6758_104是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）AlphaMOS系列中的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术制造。该器件采用紧凑的8-DFN（5x6）表面贴装封装，专为在有限空间内要求高效率和高功率密度的应用而优化设计。其核心架构基于优化的单元设计和工艺，旨在实现极低的导通电阻与快速的开关特性之间的平衡，从而在电源转换和功率管理电路中减少损耗并提升整体系统效率。

该MOSFET具备30V的漏源电压（Vdss）额定值，提供了稳健的电压余量。在导通特性方面，其突出优势在于极低的导通电阻，在10V驱动电压（Vgs）和20A漏极电流条件下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为3.6毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，尤其是在大电流应用中。器件在25°C环境温度（Ta）下可支持27A的连续漏极电流，而在管壳温度（Tc）条件下可达32A，展现了其强大的电流处理能力。其栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.4V，且栅极电荷（Qg）在10V条件下最大仅为40nC，这有助于降低驱动电路的功耗并实现更快的开关速度，减少开关损耗。

在接口与可靠性参数上，AON6758_104集成了体肖特基二极管，为感性负载开关应用提供了重要的续流路径，增强了系统的可靠性。其栅源电压（Vgs）可承受±20V的最大值，提供了较好的栅极保护能力。器件的热性能由其功率耗散能力体现，在环境温度下为4.1W，而在管壳温度下可高达41W，结合其宽广的工作结温范围（-55°C ~ 150°C），确保了其在苛刻环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链的客户，可以通过官方AOS授权代理获取相关技术支持和产品信息。

基于其优异的电气性能和封装形式，AON6758_104非常适用于需要高效率功率开关的领域。典型应用场景包括服务器、通信设备的DC-DC转换器中的同步整流和负载开关，笔记本电脑和台式机的电源管理模块，以及各类电机驱动、电池保护电路和低压大电流的电源分配系统。其紧凑的DFN封装也使其成为空间受限的便携式电子设备和分布式电源架构的理想选择。

• 制造商产品型号：AON6758_104
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 27A/32A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：AlphaMOS
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：27A（Ta），32A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：40nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1975pF @ 15V
• FET功能：肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）：4.1W（Ta），41W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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