AOSP21311C技术参数

AOSP21311C是一款由Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 设计生产的P沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，封装于紧凑的8-SOIC表面贴装封装内。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡，内部集成了低栅极电荷的栅极结构，有助于降低开关损耗并提升整体能效。

该器件在10V栅源电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至42毫欧（@6A），这一特性确保了在导通状态下具有较低的功率损耗和温升。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.2V，结合最大栅极电荷（Qg）仅为23nC（@10V），意味着它能够被标准逻辑电平（如3.3V或5V）的微控制器或驱动芯片高效、快速地驱动，简化了外围驱动电路的设计。其最大漏源电压（Vdss）为30V，连续漏极电流（Id）在环境温度（Ta）下可达6A，能够满足多种中等功率应用的需求。

在电气参数方面，AOSP21311C展现了良好的性能均衡性。其输入电容（Ciss）在15V漏源电压下最大值为720pF，较低的电容值有助于进一步提升开关速度。器件支持高达±20V的栅源电压，提供了较强的栅极耐压能力。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功率耗散为2.5W（Ta），确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过官方授权的AOS一级代理进行采购是推荐的渠道。

凭借其低导通电阻、低栅极电荷和紧凑的封装，AOSP21311C非常适合应用于空间受限且对效率有要求的场景。典型应用包括直流-直流转换器中的负载开关、电源管理单元（PMU）的功率路径控制、电池供电设备的反向极性保护，以及电机驱动、LED照明驱动等系统中的功率开关环节。其表面贴装形式也使其能很好地适应现代高密度PCB板的设计要求。

• 型号:AOSP21311C
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 6A 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:42 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:720 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOSP21311C现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。