AON6774技术参数

AON6774是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）旗下AlphaMOS系列的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅MOSFET技术，其核心设计旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷，从而在开关电源应用中显著降低传导损耗和开关损耗。其8-DFN（5x6）封装结构优化了热性能和功率密度，为高电流应用提供了紧凑且可靠的解决方案。

该MOSFET的突出特性在于其优异的电气参数平衡。漏源电压（Vdss）为30V，使其非常适合用于12V或24V总线系统的同步整流、电机驱动和负载开关。在25°C环境温度下，其连续漏极电流（Id）可达44A，而在壳温（Tc）条件下更能支持高达85A的电流，展现了强大的电流处理能力。关键参数导通电阻（Rds(On)）在Vgs=10V、Id=20A时最大值仅为2.05毫欧，这直接转化为更低的导通压降和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值在Vgs=10V时仅为60nC，结合2.2V（最大值）的低栅极阈值电压（Vgs(th)），意味着它能够被快速驱动，减少开关过渡时间，非常适合高频开关应用。

在接口与参数方面，驱动电压范围宽泛，在4.5V至10V的栅极电压下即可实现优异的Rds(On)性能，兼容常见的3.3V、5V及12V驱动逻辑。其Vgs最大耐受电压为±20V，提供了足够的栅极驱动安全裕量。输入电容（Ciss）在Vds=15V时最大值为3000pF，与低Qg特性共同确保了快速的动态响应。器件的功率耗散能力在壳温（Tc）条件下高达48W，结合其表面贴装（SMT）的8-DFN封装和-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，保证了其在严苛环境下的稳定运行和出色的散热表现。

基于上述特性，AON6774广泛应用于需要高效率和高功率密度的场景。它是服务器/数据中心电源、通信设备电源中同步整流级的理想选择，也适用于电动工具、无人机电调（ESC）中的电机控制、电池管理系统（BMS）中的负载开关和保护电路，以及各类DC-DC转换器（如降压、升压拓扑）。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过AOS中国代理获取该产品的详细资料、样品及采购支持。

• 型号:AON6774
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 44A/85A 8DFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):44A（Ta），85A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.05 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3000 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:6.2W（Ta），48W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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