AON6780技术参数

Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 推出的 AON6780 是一款采用先进SRFET技术平台的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的8-DFN（5x6）表面贴装封装，其核心设计旨在实现极低的导通损耗与出色的开关性能平衡。其内部集成了体肖特基二极管，这不仅增强了器件的反向恢复特性，也为需要快速续流的应用场景提供了便利，有效减少了外部元器件的需求并简化了电路板布局。

在电气性能方面，AON6780 具备30V的漏源电压（Vdss）额定值，使其非常适用于低压、大电流的功率转换场景。其导通电阻（Rds(On)）在10V栅极驱动电压（Vgs）和20A漏极电流（Id）条件下，典型值低至1.7毫欧，这一关键参数直接决定了导通状态下的功率损耗水平，对于提升系统整体效率至关重要。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为76nC @ 10V，较低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。

该MOSFET提供了灵活的电流承载能力，在环境温度（Ta）25°C下连续漏极电流为30A，而在管壳温度（Tc）条件下则可高达85A，这为散热设计良好的系统提供了更高的电流裕量。其驱动电压范围宽泛，在4.5V至10V的Vgs下均可实现较低的导通电阻，兼容常见的逻辑电平与标准驱动电路。器件的最大栅源电压（Vgs）为±12V，确保了足够的驱动安全余量。其输入电容（Ciss）为9600pF @ 15V，与栅极电荷共同定义了开关动态特性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的AOS代理获取相关技术资料与采购信息。

凭借其优异的性能组合，AON6780 主要面向对效率和功率密度有严苛要求的现代电子设备。其典型应用领域包括服务器和通信设备的负载点（POL）转换器、高性能显卡的VRM（电压调节模块）、电动工具的马达驱动控制，以及各类DC-DC同步整流和功率开关电路。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能指标对于理解同类功率器件的选型与评估仍具有重要的参考价值。

• 型号:AON6780
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 30A/85A 8DFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Ta），85A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:76 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:9600 pF @ 15 V
• FET 功能:肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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