AOW480技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）旗下SDMOS产品系列的一员，AOW480是一款采用N沟道技术的功率MOSFET。该器件采用成熟的MOSFET（金属氧化物）技术制造，其核心架构旨在实现高效率的功率开关与转换。其设计重点在于优化导通电阻与栅极电荷之间的平衡，从而在降低导通损耗的同时，保持良好的开关性能，这对于提升整体系统的能效至关重要。

该器件在电气特性上表现出色，其漏源电压（Vdss）额定值为80V，能够满足多种中压应用场景的需求。其导通电阻（Rds(On)）在10V栅极驱动电压、20A漏极电流条件下，最大值仅为4.5毫欧，这一低导通电阻特性直接转化为更低的传导损耗和发热量。同时，其栅极电荷（Qg）在10V条件下最大值为140nC，较低的栅极电荷有助于降低开关损耗，并简化驱动电路的设计。器件在25°C环境温度下连续漏极电流（Id）为15A，而在管壳温度（Tc）条件下可达180A，展现了其强大的电流处理能力，功率耗散在管壳温度条件下最大值可达333W。

在接口与封装方面，AOW480采用通孔安装形式的TO-262封装，这是一种坚固且散热性能良好的封装，便于在功率板上进行可靠的机械固定和热管理。其栅极驱动电压范围宽泛，最大栅源电压（Vgs）为±25V，而阈值电压（Vgs(th)）最大为4V @ 250A，确保了与常见驱动逻辑电平的兼容性和良好的抗干扰能力。输入电容（Ciss）在40V漏源电压下最大为7820pF，这是评估开关速度与驱动需求的重要参数。其宽广的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）使其能够适应苛刻的环境条件。如需获取该器件的详细技术资料或采购支持，可以联系官方AOS代理。

基于其80V的耐压、优异的电流承载能力以及低导通电阻和栅极电荷的组合，这款MOSFET非常适合应用于要求高效率和高可靠性的功率电子领域。典型的应用场景包括开关模式电源（SMPS）的初级侧或次级侧整流与同步整流、电机驱动与控制电路、DC-DC转换器以及各类工业电源系统中的功率开关单元。其稳健的设计使其成为工程师在构建中功率密度解决方案时的一个可靠选择。

• 制造商产品型号：AOW480
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 80V 15A/180A TO262
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：SDMOS
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：80V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：15A（Ta），180A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：7V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：140nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：7820pF @ 40V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：1.9W（Ta），333W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-262
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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