AON6816技术参数

AON6816是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的高性能双N沟道MOSFET阵列。该器件采用先进的共漏极架构，将两个独立的N沟道MOSFET集成在单一封装内，这种设计不仅优化了PCB布局空间，还通过共享漏极连接简化了电路设计，特别适用于需要同步或互补开关的应用拓扑。

该MOSFET具备逻辑电平门驱动特性，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值仅为2.2V，这意味着它能够被常见的3.3V或5V微控制器逻辑电平直接、高效地驱动，无需额外的电平转换电路，从而降低了系统复杂性和成本。其导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs和16A Id条件下典型值低至6.2毫欧，这一优异的参数直接转化为极低的导通损耗和温升，显著提升了系统的整体能效和功率密度。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为45nC，结合较低的输入电容（Ciss），确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，非常适合高频开关应用。

在电气规格方面，AON6816的连续漏极电流（Id）额定值为17A，漏源击穿电压（Vdss）为30V，提供了充足的电流和电压裕量。其采用热增强型表面贴装封装（8-PowerSMD，扁平引线），具有优异的散热性能，最大功耗为2.8W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的可靠运行。对于需要批量采购和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理商获取完整的规格书、样品以及应用指导。

凭借其高电流能力、低导通电阻和快速开关特性，该器件广泛应用于各类电源管理及电机驱动场景。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC同步整流及负载点（POL）转换器、笔记本电脑的电源管理单元、电动工具和无人机的无刷直流（BLDC）电机驱动，以及各类需要高效功率切换的便携式电子设备。其紧凑的封装和卓越的性能使其成为空间受限且对效率要求严苛的现代电子系统的理想选择。

• 制造商产品型号：AON6816
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET 2N-CH 30V 17A DFN5X6
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：2 N 沟道（双）共漏
• FET功能：逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：17A
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.2 毫欧 @ 16A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：45nC @ 10V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1540pF @ 15V
• 功率-最大值：2.8W
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：8-PowerSMD，扁平引线
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AON6816现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。