AON6938技术参数

AON6938是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用8-PowerVDFN封装的双N沟道MOSFET阵列。该器件集成了两个独立的N沟道增强型MOSFET，构成一个半桥拓扑结构的基础单元，其设计旨在通过紧凑的封装提供高效的功率开关能力。每个MOSFET均采用先进的沟槽工艺制造，以实现极低的导通电阻与优异的开关性能，这对于提升系统整体效率、减少功率损耗至关重要。

该芯片的核心特性在于其逻辑电平门驱动设计，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，使其能够与常见的3.3V或5V微控制器及驱动IC直接兼容，简化了外围电路设计。在电气参数方面，器件具备30V的漏源击穿电压（Vdss），为12V或24V总线应用提供了充足的电压裕量。其导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs、20A Id条件下典型值仅为8.2毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值24nC @ 10V）和输入电容（Ciss，最大值1150pF @ 15V）确保了快速的开关瞬态响应，有助于降低开关损耗并支持更高频率的PWM操作。

在接口与热性能方面，AON6938采用表面贴装型封装，便于自动化生产并节省PCB空间。其连续漏极电流（Id）能力在25°C下分别为17A和33A，具体取决于散热条件，最大功耗可达3.6W至4.3W。器件结温（TJ）工作范围宽达-55°C至150°C，保证了其在苛刻环境下的可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方AOS总代理获取详细的产品资料和采购信息。

基于其半桥结构、逻辑电平驱动和优异的开关特性，AON6938非常适合应用于需要高效同步整流的DC-DC转换器、电机驱动控制（如无人机电调、小型伺服驱动器）、负载开关以及电池保护电路等场景。其紧凑的封装和强大的性能使其成为空间受限且对效率有高要求的便携式设备、通信模块和工业控制系统的理想选择。

• 制造商产品型号：AON6938
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET 2N-CH 30V 17A/33A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：2 个 N 通道（半桥）
• FET功能：逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：17A，33A
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：24nC @ 10V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1150pF @ 15V
• 功率-最大值：3.6W，4.3W
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：8-PowerVDFN
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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