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AO3402_103技术参数

  • 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:-
  • 技术参数:MOSFET N-CH 30V SOT23
  • 专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!
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AO3402_103技术参数详情说明:

AO3402_103是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET,采用先进的平面工艺制造,集成于紧凑的SOT-23封装内。该器件设计用于在30V的漏源电压(Vdss)下工作,其核心架构优化了导通电阻与栅极电荷的平衡,旨在实现高效的功率切换与低导通损耗。其内部结构通过精密的芯片布局和封装技术,确保了良好的热性能和电气可靠性,适用于对空间和效率有严格要求的应用环境。

该MOSFET在环境温度(Ta)下可实现高达4A的连续漏极电流,这一特性使其在中小功率开关电路中表现出色。其低导通电阻特性有助于减少传导损耗,提升整体系统效率。同时,器件具备快速的开关响应能力,有利于在高频开关电源、电机驱动等场景中降低开关损耗。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过官方授权的AOS总代理获取原厂技术支持与供货保障。

在接口与参数方面,AO3402_103采用标准的SOT-23三引脚封装(通常为源极、栅极、漏极),便于PCB布局和自动化贴装。虽然部分动态参数如栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)的具体最大值未在基础规格中明确列出,但其设计侧重于在30V电压等级和4A电流条件下提供稳健的性能。用户在实际应用中需参考详细的数据手册,根据栅极驱动电压、工作频率和热管理条件进行电路设计,以确保器件在安全操作区域内工作。

该器件典型的应用场景包括DC-DC转换器中的同步整流或负载开关、电池保护电路、便携式设备的电源管理模块,以及小型电机、继电器或LED的驱动控制。其紧凑的封装和良好的电流处理能力,使其成为空间受限的消费电子、物联网设备及工业控制模块中功率开关部分的理想选择。尽管该产品目前已处于停产状态,但其设计理念和性能参数仍为后续型号提供了参考,在存量项目或特定替代方案中仍具分析价值。

  • 制造商产品型号:AO3402_103
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 30V SOT23
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • FET类型:-
  • 技术:-
  • 漏源电压(Vdss):-
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):4A(Ta)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):-
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):-
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):-
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):-
  • Vgs(最大值):-
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):-
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:-
  • 安装类型:-
  • 器件封装:-
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴,我们长期提供AO3402_103现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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