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AON7210技术参数

  • 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:8-DFN-EP(3.3x3.3)
  • 技术参数:MOSFET N-CH 30V 30A/50A 8DFN
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AON7210技术参数详情说明:

AON7210是一款由AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)设计生产的N沟道功率MOSFET,采用先进的平面MOSFET技术,封装于紧凑的8-DFN-EP(3.3x3.3)表面贴装器件中。其核心架构旨在实现高功率密度与高效率的平衡,通过优化的单元设计和低电阻金属化工艺,显著降低了导通电阻和寄生参数,为开关电源和电机驱动等应用提供了坚实的硬件基础。

该器件在30V的漏源电压(Vdss)额定值下工作,展现出卓越的电流处理能力,在25°C环境温度下连续漏极电流(Id)为30A,而在管壳温度下可高达50A。其关键特性在于极低的导通电阻,在10V栅极驱动电压、20A漏极电流条件下,Rds(On)最大值仅为4毫欧,这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时,其栅极电荷(Qg)最大值控制在30nC @ 10V,结合适中的输入电容(Ciss),有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计,实现更快的开关频率和更优的动态性能。

在接口与参数方面,AON7210的栅极驱动电压范围宽泛,标准驱动电压为4.5V至10V,且栅源电压(Vgs)可承受±20V的最大值,增强了设计的鲁棒性。其阈值电压Vgs(th)最大值为2.3V @ 250A,确保了良好的噪声抑制能力和明确的导通/关断状态。器件支持-55°C至150°C的结温工作范围,最大功率耗散在管壳温度下可达83W,并通过DFN封装底部的裸露焊盘(EP)实现高效的热管理,满足高可靠性应用的需求。用户可通过官方AOS代理获取详细的技术支持和供货信息。

凭借其高电流能力、低导通电阻和快速开关特性,AON7210非常适合应用于对效率和空间有严苛要求的场景。其主要应用领域包括但不限于:同步整流(在DC-DC转换器中)、电机驱动与控制(如无人机、电动工具)、负载开关以及各类便携式设备的电源管理模块。尽管该产品目前已处于停产状态,但其设计理念和性能参数仍为后续型号的开发与选型提供了重要的参考基准。

  • 制造商产品型号:AON7210
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 30A/50A 8DFN
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):30A(Ta),50A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):4 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):30nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2380pF @ 15V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):6.2W(Ta),83W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:8-DFN-EP(3.3x3.3)
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴,我们长期提供AON7210现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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