AON7246E技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）旗下AlphaSGT产品系列的一员，AON7246E是一款采用先进MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术的N沟道功率器件。其核心架构基于优化的单元设计和沟槽栅工艺，旨在实现低导通电阻与高开关效率的平衡。该器件采用紧凑的8-DFN-EP（3x3）表面贴装封装，内部集成散热片（EP），有效提升了热性能，为高功率密度应用提供了可靠的物理基础。

在电气性能方面，60V的漏源电压（Vdss）额定值使其能够稳健地工作在常见的24V或48V总线系统中。其在25°C环境温度下连续漏极电流（Id）可达13A，结合低至13.2毫欧（在10V Vgs， 13A条件下）的最大导通电阻（Rds(on)），显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效。该MOSFET的栅极驱动特性经过精心优化，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大为2.2V，而在4.5V驱动电压下的栅极电荷（Qg）最大值仅为10nC，这意味着它能够被快速、高效地驱动，有助于减少开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。

该器件的接口与参数设计充分考虑了系统级的鲁棒性与易用性。其栅源电压（Vgs）可承受±20V的最大值，增强了抗栅极电压瞬态冲击的能力。输入电容（Ciss）在30V Vds下最大为755pF，与低栅极电荷共同确保了快速的开关响应。其最大功率耗散在管壳温度（Tc）下标定为24W，结合-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，使其能够适应苛刻的环境条件。对于需要批量采购或技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理商获取完整的规格书、样品及设计支持。

凭借其优异的性能组合，AON7246E非常适合应用于对效率和空间均有严苛要求的场景。它常被用作同步整流、电机驱动、DC-DC转换器（尤其是降压和升压拓扑）中的主开关或同步开关管。在服务器电源、通信设备、工业自动化控制器以及电动工具等产品的电源管理模块中，该器件能够有效提升功率转换效率，减少热量产生，并有助于实现更小巧、更可靠的终端产品设计。

• 制造商产品型号：AON7246E
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CHANNEL 60V 13A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：AlphaSGT
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：60V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：13A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：13.2 毫欧 @ 13A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：10nC @ 4.5V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：755pF @ 30V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：24W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN-EP（3x3）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AON7246E现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。