AON6792技术参数

AON6792是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进SRFET技术平台的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的8-DFN（5x6）表面贴装封装，其核心设计旨在通过优化的单元结构和沟槽工艺，在30V的漏源电压（Vdss）额定值下，实现极低的导通损耗与出色的开关性能平衡。其沟道技术有效降低了栅极电荷和导通电阻，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

该MOSFET的突出特性在于其极低的导通电阻，在10V驱动电压（Vgs）和20A漏极电流条件下，Rds(On)典型值仅为2毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其最大栅极电荷（Qg）低至49nC（@10V），配合1.9V（最大值）的低阈值电压，显著降低了开关过程中的驱动损耗，并允许使用更小、更经济的驱动电路，从而实现更高的开关频率和更紧凑的电源设计。其连续漏极电流在环境温度（Ta）25°C下为44A，在壳温（Tc）条件下可达85A，展现了强大的电流处理能力，而最大结温（TJ）支持到150°C，确保了在严苛环境下的可靠工作。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS一级代理获取该产品。

在电气接口与参数方面，AON6792的驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为4.5V至10V，最大栅源电压（Vgs）为±12V，为设计提供了灵活性。其输入电容（Ciss）在15V Vds下最大为3110pF，与低Qg特性共同决定了其快速的开关响应。器件的功率耗散能力在壳温（Tc）条件下高达48W，结合低热阻的DFN封装，有效提升了散热性能。这些参数共同刻画了一个高效、强健的功率开关形象。

基于其高性能指标，AON6792非常适合应用于对效率和功率密度有高要求的场景。它常被用作同步整流拓扑中的下管或上管，广泛应用于服务器/数据中心电源、通信设备电源模块、高性能显卡的VRM（电压调节模块）以及各类DC-DC转换器（如降压、升压转换器）中。其低导通电阻和开关损耗特性，使其成为实现80 PLUS钛金、白金等高能效标准电源的关键元件之一，助力系统提升整体能效并减少散热需求。

• 制造商产品型号：AON6792
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 44A/85A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：SRFET
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：44A（Ta），85A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.9V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：49nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±12V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3110pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：6.2W（Ta），48W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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