AON7264E技术参数

AON7264E是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）基于其先进的AlphaSGT技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直栅极结构，在紧凑的封装内实现了优异的导通电阻与栅极电荷乘积（Rds(on)*Qg），这一核心架构使其在开关应用中能显著降低导通损耗和开关损耗，提升整体能效。

该MOSFET的突出特性在于其低至9.5毫欧（典型值，在Vgs=10V，Id=17A条件下）的导通电阻，结合高达28A的连续漏极电流（Tc=25°C）和60V的漏源击穿电压，为设计提供了充裕的功率处理余量。其栅极阈值电压典型值为2.4V，并支持高达±20V的栅源电压，确保了与主流控制器良好的驱动兼容性和鲁棒性。此外，低至25nC（Vgs=10V）的栅极总电荷与1100pF的输入电容，共同决定了其快速的开关瞬态响应能力，有助于在高频开关电源中降低开关损耗。

在电气接口与热性能方面，AON7264E在4.5V的低栅极驱动电压下即可实现良好的导通特性，方便了低电压逻辑电平的直接驱动。其采用热增强型表面贴装8-DFN-EP（3x3）封装，结壳热阻低，在管壳温度（Tc）条件下最大功率耗散可达27.5W，结合-55°C至150°C的宽工作结温范围，保证了器件在苛刻环境下的长期可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过官方授权的AOS一级代理进行采购是确保产品正品与供应链安全的重要途径。

凭借其高性能与高可靠性，AON7264E非常适用于对效率和功率密度有严苛要求的现代电源管理系统。其典型应用场景包括服务器和通信设备的DC-DC同步整流及功率开关、电动工具和电池管理系统的电机驱动与控制电路、以及各类工业电源中的高频逆变和OR-ing（冗余供电）功能模块，是工程师实现高效、紧凑电源设计的优选功率开关器件。

• 型号:AON7264E
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3x3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 28A 8DFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1100 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:27.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AON7264E现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。