AOT2502L技术参数

作为一款高性能的功率开关器件，AOT2502L采用了先进的平面MOSFET技术，其核心架构基于N沟道设计，确保了在高压应用中的可靠性与效率。该器件在硅片层面进行了优化，以实现更低的导通电阻和更快的开关速度，这对于降低功率损耗和提升系统整体性能至关重要。其内部结构经过精心设计，能够有效管理高电流下的热分布，结合TO-220封装出色的散热能力，为持续稳定运行提供了坚实的物理基础。

在电气特性方面，该器件展现出卓越的性能。其漏源电压（Vdss）额定值为150V，为中等电压范围的开关电源和电机驱动应用提供了充足的安全裕量。导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、20A电流下典型值仅为11毫欧，这一极低的数值直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，栅极电荷（Qg）最大值控制在60nC，结合合理的栅极阈值电压，有助于简化驱动电路设计并降低开关损耗，使其在高频开关应用中表现优异。

器件的接口与参数设计充分考虑了工程应用的便利性与鲁棒性。它采用标准的TO-220通孔封装，便于安装和散热处理。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，适应严苛的环境条件。在热管理方面，器件在壳温（Tc）条件下的最大功耗可达277W，显示了其强大的功率处理能力。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方AOS授权代理获取正品器件和完整的设计资源。

基于其150V的耐压、高达106A（Tc）的连续电流能力以及优异的开关特性，AOT2502L非常适用于对效率和可靠性有高要求的场合。典型的应用场景包括工业电源中的功率因数校正（PFC）电路、DC-DC转换器的同步整流或主开关、不间断电源（UPS）系统以及各类电机驱动和逆变器。在这些应用中，它能够有效提升功率密度，降低系统温升，是实现紧凑、高效功率解决方案的关键组件。

• 型号:AOT2502L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 150V 18.5/106A TO220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:150 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18.5A（Ta），106A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3010 pF @ 75 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:8.3W（Ta），277W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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