AON7280技术参数

AON7280是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽栅MOSFET技术制造。该器件在紧凑的8-DFN-EP（3.3x3.3）封装内集成了优化的单元结构，实现了低栅极电荷与低导通电阻的出色平衡。其设计旨在最大限度地减少开关损耗和传导损耗，这对于提升系统整体效率至关重要，尤其是在高频开关应用中。

该MOSFET的显著特性包括80V的漏源击穿电压（Vdss），提供了良好的电压裕量，增强了系统在瞬态电压下的可靠性。其导通电阻（Rds(On)）在Vgs=10V、Id=20A的条件下典型值低至8.5毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生。同时，最大栅极电荷（Qg）仅为38nC（@10V），结合较低的输入电容（Ciss），意味着驱动电路所需的开关能量更少，从而简化了栅极驱动设计并提升了开关速度，适用于对效率要求苛刻的场合。

在电气参数方面，AON7280支持宽泛的工作条件。其连续漏极电流在环境温度（Ta）25°C下为20A，在管壳温度（Tc）下可达50A，展现了强大的电流处理能力。栅源电压（Vgs）耐受范围为±20V，增强了驱动兼容性和鲁棒性。器件的功率耗散能力在管壳温度（Tc）条件下高达83W，结合其优异的导热封装设计，确保了在高功率密度应用中的稳定运行。工作结温范围覆盖-55°C至150°C，使其能够适应严苛的工业环境。如需获取官方技术支持和批量采购，可以联系AOS总代理。

凭借其高性能指标，AON7280非常适合用于需要高效率和高功率密度的DC-DC转换拓扑中，如同步整流、电机驱动控制以及各类电源管理模块。它在服务器电源、通信基础设施、工业自动化设备和电动工具等领域的开关电源次级侧整流或初级侧开关位置，都能有效提升能效，减少解决方案的尺寸和热管理复杂度。

• 制造商产品型号：AON7280
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 80V 20A/50A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：80V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：20A（Ta），50A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：38nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1871pF @ 40V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：6.3W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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