AON7290技术参数

AON7290是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术，封装于紧凑的8-DFN-EP（3.3x3.3）表面贴装封装内。该器件基于优化的单元结构和沟槽工艺，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。其核心设计聚焦于降低功率损耗，通过精细的栅极设计和低电荷特性，有效减少了开关过程中的传导与开关损耗，从而提升了整体能效。

该MOSFET具备100V的漏源击穿电压（Vdss），提供了稳健的电压裕量，适用于中高电压环境。在导通特性方面，其在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(On)）典型值低至12.6毫欧（@15A），这一低阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为38nC（@10V），结合较低的输入电容（Ciss），确保了快速的开关瞬态响应，有利于在高频开关应用中提升效率并降低电磁干扰（EMI）。

在电气参数上，AON7290的连续漏极电流在环境温度（Ta）下额定为15A，在管壳温度（Tc）下可达50A，展现了其强大的电流处理能力。其栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为3.4V，与标准逻辑电平驱动兼容性好。器件支持高达±20V的栅源电压，增强了驱动电路的可靠性。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）和高达83W（Tc）的功率耗散能力，使其能够适应苛刻的热环境。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过AOS中国代理获取该产品的详细信息与供货服务。

凭借其性能组合，该器件非常适合要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、各类电源管理模块以及电池保护电路。其紧凑的DFN封装非常适合空间受限的现代电子设备，有助于实现更小体积和更高可靠性的系统设计。

• 型号:AON7290
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 100V 15A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Ta），50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12.6 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2075 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:6.25W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerWDFN
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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