AON7400AL_102技术参数

AON7400AL_102是一款由Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS)设计生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术。该器件采用紧凑的8-DFN（3x3）表面贴装封装，专为高功率密度和高效散热的应用而优化。其核心架构基于AOS成熟的工艺平台，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡，这对于提升系统整体效率至关重要。

该MOSFET的显著特性在于其优异的电气性能。它具备30V的漏源电压（Vdss）额定值，并在不同测试条件下提供出色的电流承载能力：在环境温度（Ta）下连续漏极电流（Id）为15A，而在管壳温度（Tc）下可达40A。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压（Vgs）和20A电流下最大值仅为7.5毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的传导损耗和更高的能效。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，配合最大24nC的栅极电荷（Qg），确保了器件在4.5V至10V的驱动电压范围内能够被高效驱动，并实现快速的开关转换，有助于降低开关损耗。

在接口与参数方面，该器件设计稳健，栅源电压（Vgs）可承受±20V的最大值，增强了应用的可靠性。其输入电容（Ciss）在15V Vds下最大为1380pF，是评估开关速度与驱动电路设计的关键参数。器件支持-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，最大功率耗散在管壳温度（Tc）条件下可达25W，表明其具备良好的热性能。对于需要技术支持或批量采购的客户，可以通过官方授权的AOS代理获取详细的技术资料和供应信息。

基于其性能组合，AON7400AL_102非常适用于空间受限且对效率要求严苛的直流-直流（DC-DC）转换器、电机驱动控制、负载开关以及电池保护电路等场景。尤其是在同步整流、电源管理和便携式设备的功率分配模块中，其低Rds(On)和高电流处理能力有助于实现系统的小型化和能效提升。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数仍为同类高密度功率解决方案提供了有价值的参考。

• 制造商产品型号：AON7400AL_102
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：15A（Ta），40A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：24nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1380pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），25W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（3x3）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AON7400AL_102现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。