AO4613技术参数

AO4613是一款由Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS)设计生产的N沟道与P沟道MOSFET对管，采用紧凑的8引脚SOIC封装。该器件集成了一个逻辑电平驱动的N-MOSFET和一个P-MOSFET，构成一个高效的互补对，特别适用于需要对称推挽或电平转换功能的电路设计。其核心价值在于将两种极性、性能匹配的MOSFET集成于单一封装内，不仅节省了宝贵的PCB空间，还简化了物料管理和生产流程，为设计工程师提供了高度集成的功率开关解决方案。

该芯片的显著特性在于其逻辑电平门极驱动能力。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为3V，这意味着它可以直接由3.3V或5V的微控制器、逻辑芯片或DSP的GPIO口进行高效驱动，无需额外的电平转换或驱动电路，极大地简化了系统设计并降低了整体成本。同时，在10V栅极电压下，其导通电阻(Rds(on))典型值低至24毫欧，这确保了在开关和导通状态下都具有较低的功率损耗，提升了系统的整体能效和热性能。

在电气参数方面，AO4613的漏源击穿电压(Vdss)为30V，使其能够稳定工作在常见的12V或24V总线系统中。其栅极电荷(Qg)最大值仅为15nC，输入电容(Ciss)最大值为630pF，这些低栅极电荷和电容参数共同决定了其出色的开关性能，可以实现快速的开通与关断，减少开关过渡过程中的损耗，尤其适合高频开关应用。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，并采用表面贴装形式，保证了其在严苛工业环境下的可靠性和易于自动化生产的特点。如需获取官方技术支持和样品，可以通过授权的AOS代理进行咨询。

基于上述特性，AO4613非常适合应用于多种需要高效、紧凑型功率管理的场景。典型的应用包括DC-DC同步整流转换器中的高边和低边开关、电机驱动H桥电路中的半桥、电池供电设备中的负载开关，以及各种信号和电源路径的电平转换与切换电路。其互补对管的结构使其在构建全桥或半桥拓扑时尤为方便，是便携式设备、通信模块、工业控制板卡等空间受限且对能效有较高要求产品的理想选择。

• 型号:AO4613
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 7.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:630pF @ 15V
• 功率 - 最大值:2W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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