AON7402技术参数

AON7402是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术。该器件采用紧凑的8-DFN（3x3）表面贴装封装，专为高密度PCB布局而优化，其核心架构旨在实现高效率的功率开关与控制。其N沟道设计提供了优异的电子迁移率，结合优化的单元结构，在保证高电流处理能力的同时，致力于降低导通损耗和开关损耗，为电源管理电路提供了一个可靠的基础元件。

该MOSFET的显著特性体现在其优异的电气参数上。其30V的漏源电压（Vdss）额定值使其非常适合低压应用场景。在导通特性方面，在10V驱动电压（Vgs）下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至10毫欧（@20A），这一低导通阻抗直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极驱动设计兼容性良好，阈值电压（Vgs(th)）最大为2.2V，且栅极总电荷（Qg）最大值仅为17.8nC，这有助于实现快速开关并降低栅极驱动电路的功率需求，对于高频开关应用至关重要。其输入电容（Ciss）也经过优化，有助于改善开关动态性能。

在接口与可靠性参数方面，AON7402展现了强大的鲁棒性。其连续漏极电流（Id）在环境温度（Ta）下可达13.5A，在管壳温度（Tc）下更是高达39A，提供了充足的电流裕量。最大栅源电压（Vgs）为±20V，增强了驱动信号的容错能力。器件支持-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，并具备3.1W（Ta）和26W（Tc）的功率耗散能力，确保了在苛刻环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS总代理获取原厂技术支持与供货服务。

基于其低导通电阻、快速开关特性和稳健的封装，AON7402非常适用于需要高效功率转换和管理的领域。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和负载开关，特别是在计算设备、网络通信设备的电源模块中。它也适用于电机驱动控制电路、电池保护板以及各类便携式电子设备的电源管理单元。其DFN封装形式尤其适合空间受限的现代消费电子和工业控制产品设计。

• 制造商产品型号：AON7402
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 13.5A/39A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：13.5A（Ta），39A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：17.8nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：770pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），26W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（3x3）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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