AOWF11S65技术参数

AOWF11S65是一款来自AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的N沟道功率MOSFET，隶属于其aMOS产品系列。该器件采用TO-262F通孔封装，专为高电压、高效率的功率转换应用而设计。其核心架构基于先进的平面MOSFET技术，通过优化的单元设计和制造工艺，在650V的高漏源电压（Vdss）规格下，实现了导通电阻（Rds(On)）与栅极电荷（Qg）之间的出色平衡，这对于提升开关电源的整体效率至关重要。

在功能特性上，该器件在25°C壳温（Tc）下可支持高达11A的连续漏极电流，展现了其强大的电流处理能力。其关键优势在于，在10V驱动电压下，导通电阻最大值仅为399毫欧（测试条件为5.5A），同时栅极总电荷（Qg）最大值控制在13.2nC。这种低Rds(On)与低Qg的组合，意味着在导通期间具有较低的传导损耗，在开关过程中又能实现快速的开关速度和较低的驱动损耗，从而有效降低系统总功耗和温升。此外，其栅源电压（Vgs）耐受范围达±30V，提供了稳健的驱动鲁棒性。

从接口与参数来看，AOWF11S65的阈值电压Vgs(th)最大值为4V（测试条件250A），确保了良好的噪声免疫能力。其输入电容（Ciss）在100V Vds下最大值为646pF，有助于简化栅极驱动电路的设计。器件最大功耗为28W（Tc），结温工作范围覆盖-55°C至150°C，适用于严苛的环境。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS总代理获取该产品及相关技术支持。

在应用场景方面，凭借650V的高压耐受能力和优异的开关性能，这款MOSFET非常适合用于离线式开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路、反激式或LLC谐振转换器的主开关、以及工业电机驱动、不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等领域的功率开关部分。其TO-262F封装提供了良好的散热性能和通孔安装的机械强度，是许多中高功率密度设计的理想选择。

• 制造商产品型号：AOWF11S65
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 650V 11A TO262F
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：aMOS
• 零件状态：不用於新
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：650V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：11A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：399 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：13.2nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：646pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：28W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：-
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOWF11S65现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。