AOWF11S65技术参数

AOWF11S65是一款来自AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的N沟道功率MOSFET，隶属于其aMOS产品系列。该器件采用TO-262F通孔封装，专为高电压、高效率的功率转换应用而设计。其核心架构基于先进的平面MOSFET技术，通过优化的单元设计和制造工艺，在650V的高漏源电压（Vdss）规格下，实现了导通电阻（Rds(On)）与栅极电荷（Qg）之间的出色平衡，这对于提升开关电源的整体效率至关重要。

在功能特性上，该器件在25°C壳温（Tc）下可支持高达11A的连续漏极电流，展现了其强大的电流处理能力。其关键优势在于，在10V驱动电压下，导通电阻最大值仅为399毫欧（测试条件为5.5A），同时栅极总电荷（Qg）最大值控制在13.2nC。这种低Rds(On)与低Qg的组合，意味着在导通期间具有较低的传导损耗，在开关过程中又能实现快速的开关速度和较低的驱动损耗，从而有效降低系统总功耗和温升。此外，其栅源电压（Vgs）耐受范围达±30V，提供了稳健的驱动鲁棒性。

从接口与参数来看，AOWF11S65的阈值电压Vgs(th)最大值为4V（测试条件250A），确保了良好的噪声免疫能力。其输入电容（Ciss）在100V Vds下最大值为646pF，有助于简化栅极驱动电路的设计。器件最大功耗为28W（Tc），结温工作范围覆盖-55°C至150°C，适用于严苛的环境。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS总代理获取该产品及相关技术支持。

在应用场景方面，凭借650V的高压耐受能力和优异的开关性能，这款MOSFET非常适合用于离线式开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路、反激式或LLC谐振转换器的主开关、以及工业电机驱动、不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等领域的功率开关部分。其TO-262F封装提供了良好的散热性能和通孔安装的机械强度，是许多中高功率密度设计的理想选择。

• 型号:AOWF11S65
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-262F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO262F
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:399 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:646 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:28W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262F
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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