AON7405技术参数

AON7405是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款高性能P沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽式MOSFET技术制造，封装于紧凑的8-DFN-EP（3.3x3.3）表面贴装型封装中。该器件专为在有限空间内实现高效率、高电流开关而设计，其核心架构优化了单元密度与导通电阻（Rds(On)）之间的平衡，通过降低栅极电荷和输出电容，显著提升了开关速度和整体能效。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）为30V，适用于常见的12V或24V总线系统。在25°C环境温度下，连续漏极电流（Id）额定值高达25A，而在管壳温度（Tc）条件下更可支持50A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻极低，在Vgs=10V、Id=20A条件下，Rds(On)最大值仅为6.2毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生。此外，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.8V，且驱动电压范围宽（最大RdsOn对应4.5V，最小对应10V），与标准逻辑电平及5V/12V栅极驱动电路兼容良好，便于设计。

在动态参数方面，AON7405同样表现优异。在Vgs=10V时，栅极总电荷（Qg）最大值仅为51nC，结合Vds=15V时输入电容（Ciss）最大值为2940pF，这些参数共同决定了其快速的开关瞬态响应，有助于降低开关损耗并允许更高频率的操作。器件的栅源电压（Vgs）可承受±25V，提供了良好的栅极驱动鲁棒性。其最大功耗在环境温度（Ta）下为6.25W，在管壳温度（Tc）下可达83W，结合其-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，确保了在苛刻环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS总代理进行采购与咨询。

凭借其高电流能力、低导通电阻、快速开关特性以及紧凑的DFN封装，AON7405非常适合于空间受限且对效率要求高的应用场景。典型应用包括服务器、通信设备的负载开关与电源管理单元，笔记本电脑和移动设备的电池保护与功率分配电路，以及各类DC-DC转换器中的同步整流或高端开关。其稳健的性能使其成为需要高效功率控制和热管理的现代电子系统中的理想选择。

• 型号:AON7405
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 25A/50A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Ta），50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:51 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2940 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:6.25W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerWDFN
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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