AON7524技术参数

AON7524是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）AlphaMOS系列中的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽栅MOSFET技术制造，封装为紧凑的8-DFN（3x3）表面贴装形式。该器件专为在低栅极驱动电压下实现极低的导通电阻和出色的开关性能而优化，其核心设计平衡了导通损耗、开关损耗和热性能，适用于高功率密度和高效率要求的应用环境。

该MOSFET的突出特性在于其优异的电气参数组合。其漏源电压（Vdss）额定值为30V，在25°C环境温度下连续漏极电流（Id）可达25A，而在管壳温度下更能支持28A，展现了强大的电流处理能力。最关键的优势是其极低的导通电阻（Rds(on)），在10V Vgs和20A Id条件下，最大值仅为3.3毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.2V，配合2.5V/10V的驱动电压范围，使其能兼容多种低压逻辑电平驱动，易于控制。

在动态性能方面，AON7524同样表现卓越。在10V Vgs下，栅极总电荷（Qg）最大值控制在50nC，结合15V Vds下最大2250pF的输入电容（Ciss），共同确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，这对于高频开关应用至关重要。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功率耗散在管壳温度（Tc）条件下可达32W，配合DFN封装良好的热性能，为器件在严苛工况下的稳定运行提供了保障。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过AOS中国代理获取该产品及相关服务。

基于上述特性，该器件非常适合应用于需要高效率和高功率密度的DC-DC转换器、电机驱动、电池保护电路以及负载开关等场景。例如，在同步整流拓扑中，其低Rds(on)能显著降低整流损耗；在电机驱动中，其高电流能力和快速开关特性有助于实现精准控制并减少发热。紧凑的8-DFN封装也使其成为空间受限的现代便携式设备、计算主板和服务器电源等应用的理想选择。

• 制造商产品型号：AON7524
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 25A/28A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：AlphaMOS
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：25A（Ta），28A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.3 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：50nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±12V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2250pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），32W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（3x3）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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