AON7407技术参数

Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 推出的 AON7407 是一款采用先进沟槽技术的P沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的8-DFN（3x3）封装，集成了优化的单元结构和低阻抗金属化工艺，旨在实现极低的导通电阻和出色的开关性能。其核心架构设计重点在于平衡栅极电荷与导通损耗，通过精细的工艺控制，确保了在低压大电流应用中的高效率与可靠性。

该MOSFET的关键特性在于其卓越的电气参数。其最大漏源电压(Vdss)为20V，适用于常见的12V及以下总线系统。在25°C环境温度下，连续漏极电流(Id)额定值高达14.5A，而在管壳温度(Tc)条件下更能达到40A，展现了强大的电流处理能力。其导通电阻(Rds(on))表现尤为突出，在4.5V驱动电压(Vgs)和14A电流下，最大值仅为9.5毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更少的热量产生。此外，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为900mV，而最大栅极电荷(Qg)在4.5V下仅为53nC，这些特性共同确保了器件能够被低电压逻辑电平（如1.8V至4.5V）高效驱动，并实现快速的开关切换，有助于提升系统整体能效。

在接口与热管理方面，AON7407 采用表面贴装型封装，便于自动化生产。其最大功率耗散在环境温度(Ta)下为3.1W，在管壳温度(Tc)下可达29W，这要求在实际应用中配合适当的PCB散热设计以充分发挥其性能潜力。其工作结温范围宽广，从-55°C延伸至150°C，保证了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的 AOS代理 获取该产品及相关服务。

基于其低导通电阻、高电流能力和优化的开关特性，这款MOSFET非常适合用于空间受限且对效率要求高的应用场景。典型应用包括笔记本电脑、平板电脑和超极本中的负载开关、电池保护电路以及电源管理单元(PMU)的功率路径控制。此外，在分布式电源架构、低压DC-DC同步整流转换器的上管，以及各类便携式设备、网络设备和消费电子产品的电机驱动或热插拔电路中，它都能提供可靠的解决方案。

• 制造商产品型号：AON7407
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 20V 14.5A/40A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：20V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：14.5A（Ta），40A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：9.5 毫欧 @ 14A，4.5V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：53nC @ 4.5V
• Vgs（最大值）：±8V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4195pF @ 10V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），29W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（3x3）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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