AOD4286技术参数

AOD4286是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率器件。其核心架构基于优化的单元设计，在TO-252（D-Pak）封装内实现了低导通电阻与高开关性能的平衡。该器件采用成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管技术，通过精密的制造工艺控制沟道特性，确保了在宽温度范围内的参数稳定性和可靠性。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达100V，为离线电源、电机驱动等应用提供了充足的电压裕量。在导通特性方面，在10V驱动电压（Vgs）下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至68毫欧（@5A），这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。其栅极驱动设计兼容性强，阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.9V，且标准驱动电压为4.5V至10V，使其既能被微控制器等低压逻辑信号有效驱动，也能在更高驱动电压下获得更低的导通电阻。此外，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为10nC（@10V），结合390pF（@50V）的输入电容，意味着开关过程中的栅极驱动损耗低，有利于实现高频开关操作，减少开关电源中的磁性元件体积。

在接口与参数方面，AOD4286采用行业标准的表面贴装TO-252封装，具有良好的散热性能和易于生产的焊接工艺。其电流承载能力出色，在25°C环境温度（Ta）下连续漏极电流（Id）为4A，而在借助散热器将管壳温度（Tc）控制在25°C时，电流能力可显著提升至14A，这体现了其强大的热性能和功率处理能力，最大功率耗散在Tc条件下可达30W。器件的工作结温范围宽达-55°C至175°C，适用于严苛的工业环境。对于需要可靠供应链和全面技术支持的设计项目，通过官方授权的AOS一级代理进行采购是确保产品正品和质量的重要途径。

基于其性能组合，AOD4286非常适合应用于需要高效功率转换和控制的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、低压大电流的电机驱动电路、电池保护板以及各类电源管理模块。其高耐压和良好的开关特性使其在反激式开关电源的初级侧或次级侧均能胜任，是工程师在开发高可靠性、高效率功率电子系统时的优选器件之一。

• 制造商产品型号：AOD4286
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N CH 100V 4A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Ta），14A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：68 毫欧 @ 5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.9V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：10nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：390pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），30W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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