AON7412技术参数

作为一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，AON7412采用了先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术，其核心架构旨在实现高效率的功率开关控制。该器件采用紧凑的8-DFN（3x3）表面贴装封装，这种封装形式不仅优化了PCB空间占用，还通过其热设计增强了散热性能，为高密度电源管理应用提供了可靠的物理基础。

在电气性能方面，该器件具备30V的漏源电压（Vdss）额定值，能够承受一定范围内的电压应力。其导通电阻（Rds(On)）表现突出，在10V驱动电压和10A电流条件下，最大值仅为20毫欧，这一低导通电阻特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在15nC @ 10V，结合2V @ 250A的阈值电压（Vgs(th)），意味着器件具备快速的开关速度和较低的驱动损耗，有利于提升开关电源等应用的频率和动态响应。

器件的电流处理能力根据散热条件有所不同，在环境温度（Ta）下连续漏极电流（Id）为10A，而在管壳温度（Tc）下则可支持高达16A，这为设计中的电流裕量提供了明确参考。其功率耗散能力最高可达20.8W（Tc），结合-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方指定的AOS代理商获取相关的技术支持和库存信息。

综合其参数特性，AON7412适用于对空间和效率有较高要求的多种中低压场景。例如，在DC-DC转换器中，其低Rds(On)和快速开关特性有助于实现高效率的同步整流或负载开关功能；在电机驱动或电池保护电路中，其30V的耐压和可观的电流能力提供了稳健的功率路径控制。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数仍为同类应用的器件选型提供了有价值的参考基准。

• 型号:AON7412
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3x3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 10A/16A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta），16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:466 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），20.8W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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