AON7423技术参数

AON7423是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款高性能P沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术制造。该器件采用紧凑的8-DFN-EP（3.3x3.3）表面贴装封装，专为在有限空间内实现高功率密度和高效能而设计。其核心架构优化了电流传导路径和热管理，通过降低寄生参数来提升开关性能，使得器件在电源管理和负载开关应用中表现出色。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源电压（Vdss）为20V，能够满足多种低压应用场景的需求。在导通特性方面，在4.5V驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至5毫欧（在20A条件下），这直接降低了导通损耗，提升了系统整体效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为900mV，结合最大栅极电荷（Qg）仅为100nC（在4.5V条件下），意味着器件易于驱动，能够实现快速开关，有助于减少开关损耗并简化驱动电路设计。

在接口与关键参数方面，AON7423的电流处理能力根据散热条件不同而有所区别：在环境温度（Ta）下连续漏极电流（Id）为28A，而在管壳温度（Tc）下则可高达50A，这突显了其强大的电流承载潜力。其最大功率耗散在Tc条件下可达83W，结合宽泛的工作结温范围（-55°C 至 150°C），确保了器件在苛刻环境下的可靠性和稳定性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以联系AOS一级代理获取详细信息。

基于其低导通电阻、快速开关能力和优异的散热性能，AON7423非常适合应用于对效率和空间有严苛要求的领域。典型应用包括但不限于笔记本电脑、平板电脑和服务器中的DC-DC同步整流和负载开关、电池保护电路、电机驱动控制以及各类便携式设备的电源管理单元。其设计旨在为工程师提供一个高效、可靠且节省空间的功率开关解决方案。

• 型号:AON7423
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 28A/50A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Ta），50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 20A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5626 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:6.2W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerWDFN
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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