AON6314技术参数

AON6314是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术，封装于紧凑的8-DFN（5x6）表面贴装型封装内。该器件在结构上优化了单元密度与沟道设计，旨在实现极低的导通电阻与快速的开关特性，其核心架构通过精密的半导体工艺控制，确保了在高温和高电流工作条件下的稳定性和可靠性。

该MOSFET的突出特性在于其优异的导通性能与开关效率。在Vgs为10V、Id为20A的条件下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至2.8毫欧，这一特性显著降低了导通状态下的功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）在Vgs=4.5V时最大值仅为20nC，结合1900pF @ 15V的输入电容（Ciss），共同构成了快速的开关响应能力，有助于提升整体电源系统的效率并减少开关噪声。其驱动电压范围宽泛，在4.5V至10V之间均可实现优异的导通特性，为设计提供了灵活性。

在电气参数方面，AON6314具备30V的漏源电压（Vdss）额定值，在壳温（Tc）条件下可支持高达85A的连续漏极电流。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±12V，提供了安全的驱动裕量。器件的阈值电压（Vgs(th)）最大值为2V @ 250A，确保了明确的开启特性。其最大功率耗散为32.5W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，展现了宽温域下的鲁棒性。对于需要可靠供应链的客户，可以通过官方AOS授权代理获取原厂技术支持与供货保障。

凭借其高电流处理能力、低导通电阻和快速开关特性，该器件非常适合应用于对效率和功率密度要求苛刻的场合。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC同步整流、电机驱动控制、电池保护电路以及各类负载开关。其紧凑的DFN封装也使其成为空间受限的现代高密度电源模块和主板设计的理想选择。

• 型号:AON6314
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):85A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:32.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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