AON7426技术参数

AON7426 是 AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进沟槽技术制造的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用紧凑的 8-DFN（3x3）表面贴装封装，专为在有限空间内实现高效率、高功率密度而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，通过降低栅极电荷和输出电容，显著提升了开关性能，使其在同步整流、DC-DC转换等高频应用中表现出色。

该 MOSFET 的关键电气特性包括 30V 的漏源击穿电压，在 25°C 环境温度下可提供高达 18A 的连续漏极电流，而在管壳温度条件下，这一数值可提升至 40A。其导通电阻在 10V 栅源驱动电压、18A 漏极电流条件下典型值低至 5.5 毫欧，这一低 Rds(on) 特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。栅极阈值电压最大值为 2.35V，配合 4.5V 至 10V 的推荐驱动电压范围，使其既能兼容低电压逻辑驱动，也能在标准驱动下实现充分导通。

在动态参数方面，AON7426 在 10V Vgs 下的总栅极电荷仅为 115nC，输入电容为 2120pF。这些优化的开关特性有助于降低驱动损耗和开关损耗，尤其是在高频开关电源中。其最大栅源电压为 ±20V，提供了良好的栅极可靠性。器件的功率处理能力在环境温度下为 3.1W，在管壳温度下可达 29W，工作结温范围为 -55°C 至 150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链的客户，可以通过官方授权的AOS一级代理获取相关技术支持和产品信息。

基于其优异的性能组合，该器件非常适合应用于对效率和空间有严格要求的领域。其主要应用场景包括计算机主板、显卡的 CPU/GPU 核心电压供电（VRM）、服务器电源的同步整流级、高密度 DC-DC 转换模块、负载点（POL）转换器以及各类便携式设备的电源管理单元。其表面贴装型封装和出色的热性能使其能够适应现代电子设备小型化、高功率的发展趋势。

• 制造商产品型号：AON7426
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 18A/40A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：18A（Ta），40A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5.5 毫欧 @ 18A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：115nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2120pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），29W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（3x3）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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