AON6448技术参数

AON6448 是 AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）基于其成熟的 SDMOS 技术平台开发的一款 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺和优化的单元设计，旨在实现低导通电阻与高开关速度之间的出色平衡。其核心架构通过精密的布局和封装技术，有效降低了寄生参数，为高效率功率转换提供了坚实的硬件基础。

该 MOSFET 的显著特性在于其优异的电气性能。它具备 80V 的漏源击穿电压（Vdss），提供了宽裕的电压设计余量。在导通特性方面，其 导通电阻（Rds(on)）在 10V 驱动电压（Vgs）、10A 漏极电流（Id）条件下典型值仅为 9.6 毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在 53nC，结合适中的输入电容（Ciss），有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的 AOS一级代理 获取原厂正品和技术支持。

在接口与参数层面，AON6448 提供了灵活的驱动选项，其栅源电压（Vgs）最大额定值为 ±25V，而完全导通所需的阈值电压（Vgs(th)）典型值较低，确保了与常见控制器良好的兼容性。其电流处理能力突出，在 25°C 环境温度下连续漏极电流（Id）为 11A，而在借助封装良好散热（壳温 Tc）的条件下，该值可高达 65A，展现了强大的峰值电流承载潜力。器件采用紧凑的 8-DFN（5x6）表面贴装封装，具有优异的热性能，最大结温（Tj）支持到 150°C，便于在空间受限的高密度设计中实现有效的热管理。

基于上述特性，AON6448 非常适用于对效率和功率密度有较高要求的各类中压功率应用场景。典型应用包括但不限于直流-直流转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、锂离子电池保护与管理系统，以及工业电源、通信设备电源和 LED 照明驱动等。其稳健的性能和宽工作温度范围（-55°C ~ 150°C）也使其能够胜任汽车电子、户外设备等环境条件较为严苛的领域。

• 型号:AON6448
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 11A/65A 8DFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Ta），65A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:7V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.6 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.7V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3100 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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