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AOD7B65M3技术参数

  • 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
  • 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
  • 技术参数:IGBT 650V 7A TO252
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AOD7B65M3技术参数详情说明:

作为Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) Alpha IGBT系列的一员,AOD7B65M3是一款采用标准输入类型的表面贴装IGBT(绝缘栅双极型晶体管)。该器件采用优化的沟槽场截止技术,在单芯片上集成了MOSFET的快速开关特性和双极型晶体管的高电流密度、低导通压降优势,实现了效率与可靠性的平衡。其核心设计旨在降低传导与开关损耗,这对于提升功率转换系统的整体能效至关重要。

该器件具备650V的集射极击穿电压,为离线式开关电源、电机驱动等应用提供了充足的电压裕量,增强了系统在电网波动或感性负载关断时的可靠性。在导通特性方面,其在15V栅极驱动电压、7A集电极电流条件下的典型饱和压降Vce(on)最大值仅为2.35V,这意味着在导通期间产生的功耗较低,有助于减少热设计压力。同时,其开关性能表现均衡,开启延迟时间(Td(on))仅为6ns,配合108J的开启能量与99J的关断能量,确保了在中等频率下也能实现快速、干净的开关切换,有效降低开关损耗并抑制电磁干扰(EMI)。

AOD7B65M3采用TO-252-3(DPak)表面贴装封装,最大连续集电极电流(Ic)额定值为14A,脉冲电流(Icm)可达21A,最大功耗为69W,为紧凑型设计提供了高功率密度解决方案。其栅极电荷(Qg)典型值为14nC,降低了对栅极驱动电路的电流需求,简化了驱动设计。该器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C,确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要批量采购或技术支持的客户,可以通过官方授权的AOS代理获取完整的规格书、样品以及设计协助。

凭借其650V/7A的额定规格与优异的开关特性,这款IGBT非常适用于要求高效率和高可靠性的功率电子领域。典型应用包括工业级开关模式电源(SMPS)的功率因数校正(PFC)和主逆变级、变频家电(如空调、洗衣机)中的电机驱动逆变器、不同断电源(UPS)的功率转换模块以及电焊机等设备。其表面贴装封装也使其成为空间受限的现代紧凑型电源设计的理想选择。

  • 制造商产品型号:AOD7B65M3
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:IGBT 650V 7A TO252
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:Alpha IGBT
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:-
  • 电压-集射极击穿(最大值):650V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):14A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):21A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2.35V @ 15V,7A
  • 功率-最大值:69W
  • 开关能量:108J(开),99J(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:14nC
  • 25°C时Td(开/关)值:6ns/79ns
  • 测试条件:400V,7A,43 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):212ns
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴,我们长期提供AOD7B65M3现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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