AON7752_101技术参数

AON7752_101是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能AlphaMOS产品系列。该器件采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术，其核心架构旨在实现低导通损耗与高效率的功率开关。其30V的漏源电压（Vdss）额定值，结合优化的单元设计，使其在中等电压应用中能够提供稳健的性能基础。

该器件的一个显著功能特点是其极低的导通电阻（Rds(On)），在10V驱动电压（Vgs）和16A漏极电流（Id）条件下，最大值仅为8.2毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为15nC @ 10V，结合605pF @ 15V的输入电容（Ciss），意味着该MOSFET具备快速的开关特性，有助于降低开关损耗并提升高频应用下的性能。其驱动电压范围（最大RdsOn，最小RdsOn）为4.5V至10V，且栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V @ 250A，这使其与标准逻辑电平驱动电路兼容良好，易于设计集成。

在接口与关键参数方面，AON7752_101采用表面贴装型8-DFN-EP（3x3）封装，这种封装具有良好的热性能，其最大功率耗散在壳温（Tc）条件下可达20W。器件在25°C环境温度（Ta）下的连续漏极电流为15A，壳温（Tc）条件下可达16A，提供了可观的电流处理能力。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS总代理获取相关技术资料与采购支持。

基于其性能参数，该MOSFET非常适合应用于需要高效率功率转换和管理的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制、电池保护电路以及各类负载开关。其快速开关能力和低导通电阻的组合，使其在空间受限且对热管理和效率有较高要求的便携式设备、计算主板和分布式电源架构中表现出色。

• 制造商产品型号：AON7752_101
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 15A/16A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：AlphaMOS
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：15A（Ta），16A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8.2 毫欧 @ 16A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：15nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：605pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），20W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN-EP（3x3）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AON7752_101现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。