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AOD3N40技术参数

  • 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:TO-252,(D-Pak)
  • 技术参数:MOSFET N CH 400V 2.6A TO252
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AOD3N40技术参数详情说明:

AOD3N40是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)推出的一款N沟道功率MOSFET,采用成熟的平面MOSFET技术制造,封装于TO-252(D-Pak)表面贴装封装中。该器件专为高效能开关应用而设计,其核心架构基于优化的单元结构,旨在实现低导通电阻与低栅极电荷之间的出色平衡,这对于提升开关电源的整体效率至关重要。其400V的漏源击穿电压(Vdss)为设计提供了充足的电压裕量,确保了在高压离线式应用中的长期可靠性。

该MOSFET的功能特点突出表现在其优异的动态与静态性能上。在25°C壳温条件下,其连续漏极电流(Id)额定值为2.6A,最大功率耗散能力达50W,展现了良好的功率处理能力。其关键参数,如导通电阻(Rds(on))在10V驱动电压、1A电流下典型值仅为3.1欧姆,有助于降低导通损耗。同时,其栅极电荷(Qg)最大值低至5.1nC(@10V),输入电容(Ciss)最大值仅为225pF(@25V),这两项低电荷特性显著降低了开关过程中的驱动损耗和开关延迟,使得器件在高频开关工作状态下仍能保持高效率与低发热。其栅源阈值电压(Vgs(th))最大值为4.5V,配合±30V的最大栅源电压,提供了宽裕且安全的驱动窗口。

在接口与参数方面,AOD3N40采用标准的三引脚TO-252封装,便于自动化表面贴装生产,并具有良好的散热特性。其工作结温范围宽达-50°C至150°C,能够适应严苛的环境要求。对于需要批量采购或技术支持的客户,可以通过官方授权的AOS中国代理获取完整的数据手册、样品以及深入的设计支持。这些参数共同构成了一个高效、可靠的功率开关解决方案。

基于其400V的耐压、适中的电流能力以及优异的开关特性,AOD3N40非常适合于各类离线式开关电源(SMPS)的初级侧开关、功率因数校正(PFC)电路、LED照明驱动、以及家用电器和工业控制中的电机驱动、继电器替代等应用场景。在这些领域中,它能够有效提升系统能效,减小方案尺寸,并增强系统的整体可靠性。

  • 制造商产品型号:AOD3N40
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N CH 400V 2.6A TO252
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):400V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):2.6A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):3.1 欧姆 @ 1A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):5.1nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):225pF @ 25V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):50W(Tc)
  • 工作温度:-50°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:TO-252,(D-Pak)
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴,我们长期提供AOD3N40现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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