AON7758技术参数

AON7758是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）旗下AlphaMOS系列的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽栅MOSFET技术制造。该器件采用紧凑的8-DFN-EP（3.3x3.3）封装，实现了优异的功率密度，其核心设计旨在通过优化单元结构来显著降低导通电阻和栅极电荷，从而在开关应用中达到高效率与低损耗的平衡。

该MOSFET的突出特性在于其极低的导通损耗与出色的开关性能。其最大导通电阻（Rds(On)）在Vgs=10V，Id=20A条件下仅为1.85毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，栅极总电荷（Qg）最大值控制在100nC（@10V），配合较低的栅极阈值电压（Vgs(th)），意味着驱动电路的设计可以更为简化，并能实现快速开关，有效降低开关损耗。其漏源击穿电压（Vdss）为30V，连续漏极电流在壳温（Tc）条件下可达75A，具备强大的电流处理能力。

在电气参数方面，AON7758的驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，且在4.5V时即可获得较低的导通电阻，增强了其在低电压驱动场景下的适用性。其输入电容（Ciss）典型值有助于优化栅极驱动设计。器件的最大允许栅源电压为±12V，提供了安全的驱动裕量。其工作结温范围宽广，从-55°C到150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。表面贴装型封装符合现代自动化生产需求，如需获取官方技术支持和供货信息，可联系AOS总代理。

凭借其高电流能力、低导通电阻和快速开关特性，该器件非常适合应用于对效率和功率密度有苛刻要求的领域。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC同步整流和电源转换、电机驱动控制、锂电池保护电路以及各类负载开关。其设计能够有效提升终端产品的整体能效，减少热设计复杂度，是紧凑型高功率密度电源解决方案中的关键元件。

• 制造商产品型号：AON7758
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 36A/75A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：AlphaMOS
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：36A（Ta），75A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.85 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：100nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±12V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5200pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：4.2W（Ta），34W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AON7758现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。