AON7788技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）旗下SRFET产品系列的一员，AON7788是一款采用先进MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术的N沟道功率器件。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现极低的导通电阻与快速的开关特性。该器件采用紧凑的8-DFN（3x3）表面贴装封装，在有限的占板面积内集成了高性能的功率开关功能与一个集成的体肖特基二极管，这为需要处理续流或反向电流的应用提供了额外的便利与可靠性保障。

在电气性能方面，AON7788展现出卓越的能效与电流处理能力。其漏源电压（Vdss）额定值为30V，适用于中低压应用场景。在25°C环境温度（Ta）下，连续漏极电流（Id）可达20A；而在管壳温度（Tc）条件下，这一数值可提升至40A，体现了其强大的散热潜力。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压（Vgs）和20A电流条件下，最大值仅为4.5毫欧，这一低阻值特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2V @ 250A，结合最大±12V的栅源电压耐受能力，确保了与多种驱动电路的兼容性和使用的安全性。

该器件的动态参数同样经过精心优化。在10V Vgs条件下，最大栅极电荷（Qg）为29nC，配合4100pF @ 15V的最大输入电容（Ciss），共同决定了其快速的开关速度，有助于降低开关损耗，尤其适用于高频开关应用。其最大功率耗散在Tc条件下可达36W，结合-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，赋予了它应对严苛热环境的能力。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的AOS代理获取详细的技术支持与供货信息。

综合其技术参数，AON7788非常适合应用于对功率密度和效率有较高要求的领域。例如，在同步整流、电机驱动、负载开关以及DC-DC转换器（尤其是降压或升压拓扑）中，其低Rds(On)和高电流能力能够有效减少功率损耗，提升整体能效。其集成的体二极管和快速的开关特性也使其成为电源管理、电池保护电路及各类便携式设备中功率路径管理的理想选择。尽管该零件状态已标注为停产，但其设计所体现的技术思路与性能标杆，对于理解同类功率MOSFET的选型与评估仍具有重要的参考价值。

• 制造商产品型号：AON7788
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 20A/40A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：SRFET
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：20A（Ta），40A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：29nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±12V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4100pF @ 15V
• FET功能：肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），36W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（3x3）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AON7788现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。