AONR21117技术参数

AONR21117是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计制造的P沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术，封装于紧凑的8-DFN-EP（3x3）表面贴装型封装中。该器件在结构上优化了单元密度与沟道设计，旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能平衡，其热增强型封装底部带有裸露焊盘，有效提升了从结到外壳的热传导效率，为高功率密度应用提供了可靠的散热基础。

在电气特性方面，该MOSFET具备20V的漏源电压（Vdss）额定值，适用于常见的12V及以下总线系统。其导通电阻表现突出，在4.5V驱动电压、20A漏极电流条件下，最大值仅为4.8毫欧，确保了在导通状态下的功率损耗最小化。同时，器件拥有高达26.5A（环境温度Ta）和34A（外壳温度Tc）的连续漏极电流能力，配合最大43W（Tc）的功率耗散，赋予了其强大的负载处理与热性能。栅极驱动特性经过精心调校，最大栅源电压（Vgs）为±8V，而阈值电压Vgs(th)最大值为1.1V（@250A），结合最大88nC（@4.5V）的栅极电荷（Qg）和6560pF（@10V）的输入电容（Ciss），共同决定了其快速开关与低驱动损耗的特性，特别适合高频开关应用。

该器件的接口与控制参数围绕高效电源管理设计。其推荐的驱动电压范围在2.5V（实现最小RdsOn）至4.5V之间，与标准逻辑电平及多种电源管理IC兼容，便于系统集成。宽广的工作结温范围（-55°C ~ 150°C TJ）使其能够适应严苛的环境要求。对于需要可靠供应链与技术支持的客户，可以通过AOS中国代理获取完整的产品资料、样品及批量采购服务。

基于其高性能参数，AONR21117非常适合应用于对效率和空间有严格要求的场景。其主要应用方向包括笔记本和平板电脑中的负载开关、电源路径管理，以及服务器、电信设备的DC-DC同步整流和OR-ing（冗余电源）电路。此外，在分布式电源系统、电池保护电路、电机驱动控制及各类便携式设备的功率开关模块中，它也能凭借其低导通电阻和高电流能力，有效提升系统整体能效与可靠性。

• 制造商产品型号：AONR21117
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 20V 26.5A/34A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：20V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：26.5A (Ta)，34A (Tc)
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.8 毫欧 @ 20A，4.5V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：88nC @ 4.5V
• Vgs（最大值）：±8V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：6560pF @ 10V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：5W（Ta），43W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN-EP（3x3）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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