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AOL1702技术参数

  • 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:UltraSO-8
  • 技术参数:MOSFET N-CH 30V 14A/70A ULTRASO8
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AOL1702技术参数详情说明:

AOL1702是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)推出的一款采用先进SRFET技术的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的UltraSO-8封装,在30V的漏源电压(Vdss)规格下,实现了极低的导通电阻与出色的电流处理能力。其核心设计旨在通过优化单元结构和工艺,显著降低传导损耗和开关损耗,这对于提升系统效率至关重要。

该MOSFET在10V栅极驱动电压下,导通电阻(Rds(On))典型值低至5.8毫欧(在20A条件下测量),这一特性使其在导通状态下能够有效减少功率损耗,降低温升。其栅极电荷(Qg)最大值仅为77nC,结合适中的输入电容,意味着器件具备快速的开关速度,有助于降低高频开关应用中的开关损耗。此外,器件内部集成了体肖特基二极管,这为开关过程中的感性负载能量回馈提供了低损耗路径,增强了系统的可靠性和效率。

在电气参数方面,AOL1702在壳温(Tc)条件下可支持高达70A的连续漏极电流,而在环境温度(Ta)下为14A,展现了强大的功率处理潜力。其栅源阈值电压(Vgs(th))最大值为2.4V,与标准逻辑电平兼容性好,便于驱动电路设计。器件的工作结温范围宽达-55°C至175°C,确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过官方授权的AOS一级代理获取产品技术与供货支持。

凭借其优异的性能组合,AOL1702非常适用于对效率和功率密度有高要求的DC-DC转换器、电机驱动、电池保护电路以及负载开关等应用场景。其表面贴装型UltraSO-8封装也符合现代电子设备小型化、高集成的设计趋势,是工程师在空间受限设计中实现高效功率管理的优选解决方案之一。

  • 制造商产品型号:AOL1702
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 14A/70A ULTRASO8
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:SRFET
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):14A(Ta),70A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):5.8 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):77nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±12V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):5000pF @ 15V
  • FET功能:肖特基二极管(体)
  • 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),58W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:UltraSO-8
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

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