AONR36366技术参数

AONR36366是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术，其核心架构旨在实现极低的导通损耗与出色的开关性能。其8-DFN-EP（3x3）封装集成了裸露焊盘，不仅提供了优异的散热路径，也实现了紧凑的占板面积，非常适合高密度PCB布局。

该器件在电气性能上表现突出，其漏源电压（Vdss）额定值为30V，能够满足多种中低压应用的需求。在25°C环境温度下，其连续漏极电流（Id）可达30A，而在管壳温度条件下更能提升至34A，展现了其强大的电流处理能力。其导通电阻（Rds(On)）是关键的性能指标，在Vgs=10V、Id=20A的条件下，最大值仅为3.5毫欧，这意味着在导通状态下产生的功率损耗极低，有助于提升系统整体效率并简化热管理设计。

在开关特性方面，AONR36366同样经过优化。其栅极电荷（Qg）在Vgs=10V时最大值为35nC，结合较低的输入电容（Ciss），有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，这对于高频开关应用至关重要。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.1V，而驱动电压范围宽至4.5V至10V，确保了与主流逻辑电平控制器和驱动器的良好兼容性。此外，其栅源电压（Vgs）可承受±20V的最大值，提供了更强的抗干扰能力。对于需要技术支持或批量采购的客户，可以联系AOS中国代理获取详细资料。

凭借其优异的参数组合，该MOSFET非常适合应用于对效率和功率密度有严苛要求的场景。例如，在服务器、通信设备的DC-DC同步整流和负载点（POL）转换器中，其低Rds(On)特性可显著降低传导损耗。同时，在电机驱动、电池保护电路以及各类电源管理模块中，其高电流能力和稳健的开关性能也能确保系统可靠、高效地运行。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，并支持表面贴装工艺，使其能够适应工业及消费电子领域的多样化需求。

• 制造商产品型号：AONR36366
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 30A/34A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：30A（Ta），34A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：35nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1835pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：5W（Ta），28W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN-EP（3x3）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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