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AO8804技术参数

  • 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:8-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)
  • 技术参数:MOSFET 2N-CH 20V 8A 8TSSOP
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AO8804技术参数详情说明:

AO8804是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)推出的一款采用8-TSSOP(0.173,4.40mm宽)表面贴装封装的功率MOSFET器件。该芯片集成了两个独立的N沟道MOSFET,采用共漏极配置,构成了一个紧凑的双MOSFET阵列。这种集成化设计在单一封装内提供了两个逻辑电平门控的功率开关,有效节省了PCB空间,简化了电路布局,尤其适用于对元件密度和系统可靠性有较高要求的应用。

该器件在电气性能上表现出色,其漏源极额定电压(Vdss)为20V,能够满足多种低压系统的需求。其核心优势在于极低的导通电阻,在10V栅源电压(Vgs)和8A漏极电流(Id)的条件下,导通电阻(Rds(on))最大值仅为13毫欧。这一特性直接转化为极低的导通损耗和优异的热性能,有助于提升系统整体效率。同时,其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1V,属于典型的逻辑电平驱动器件,意味着它可以被3.3V或5V的微控制器GPIO端口直接、高效地驱动,无需额外的电平转换或复杂的栅极驱动电路,简化了设计。

在动态特性方面,AO8804在4.5V Vgs下的栅极总电荷(Qg)最大值为17.9nC,结合其10V Vds下的输入电容(Ciss)最大值为1810pF,这些参数共同决定了其开关速度。较低的Qg值有助于降低开关损耗,特别是在高频开关应用中,能够减少驱动电路的负担并提升效率。器件的最大功耗为1.5W,工作结温范围覆盖-55°C至150°C,确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的批量项目,可以通过AOS总代理获取详细的技术支持和供货信息。

基于其双N沟道、逻辑电平、低导通电阻和紧凑封装的特点,AO8804非常适合应用于需要高效、紧凑功率管理的领域。典型应用包括负载开关、电机驱动(如小型直流电机)、电源管理模块中的同步整流或功率路径切换,以及在便携式设备、计算机外围设备、消费类电子产品中作为高效的功率开关元件。其集成化设计为工程师在空间受限的设计中实现高性能的功率控制提供了理想的解决方案。

  • 制造商产品型号:AO8804
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET 2N-CH 20V 8A 8TSSOP
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • FET类型:2 N 沟道(双)共漏
  • FET功能:逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss):20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):-
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):13 毫欧 @ 8A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):17.9nC @ 4.5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1810pF @ 10V
  • 功率-最大值:1.5W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:8-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴,我们长期提供AO8804现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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