AONR36368技术参数

Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 推出的 AONR36368 是一款采用先进沟槽技术的N沟道功率MOSFET，其设计旨在为现代高密度电源和电机驱动应用提供卓越的功率密度与效率。该器件采用紧凑的8-DFN-EP（3x3）封装，集成了裸露焊盘以优化热性能，使其能够在表面贴装应用中实现高效散热，这对于维持系统长期可靠运行至关重要。

该MOSFET的核心优势在于其极低的导通电阻（R_DS(on)），在10V栅极驱动电压（V_GS）和20A漏极电流条件下，其最大值仅为5毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，显著提升了系统的整体能效。同时，其栅极电荷（Q_g）最大值仅为25nC @ 10V，结合适中的输入电容，意味着开关过程中的栅极驱动损耗得以降低，有助于实现更高频率的开关操作，从而允许使用更小体积的磁性元件。其驱动电压范围宽泛，在4.5V至10V的V_GS下均可实现优异的R_{DS(on)性能，兼容多种逻辑电平，增强了设计的灵活性。}

在电气参数方面，AONR36368具备30V的漏源击穿电压（V_DSS），为其在24V总线系统及类似应用中提供了充足的安全裕量。其连续漏极电流能力在环境温度（T_a）下为23A，在管壳温度（T_c）下可达32A，展现了强大的电流处理能力。器件的阈值电压（V_GS(th)）典型值较低，有助于降低驱动电路的复杂性。其坚固性还体现在±20V的最大栅源电压耐受能力上，为栅极驱动提供了额外的保护。通过正规的AOS代理渠道获取，可以确保获得符合这些严格规格的原装正品。

凭借上述特性，AONR36368非常适用于对空间和效率有严苛要求的应用场景。它常被用于同步整流、DC-DC转换器（特别是负载点降压拓扑）、电机驱动控制（如无人机、小型机器人）以及电池保护电路等领域。其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 150°C）确保了其在恶劣环境下的稳定表现，使其成为工业控制、消费电子和便携式设备中功率管理部分的理想选择。

• 制造商产品型号：AONR36368
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 23A/32A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：23A（Ta），32A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：25nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1305pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：4.1W（Ta），24W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN-EP（3x3）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AONR36368现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。