AOD458技术参数

AOD458是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计制造的高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术，封装于TO-252（D-Pak）表面贴装型封装中，专为要求高效率和高可靠性的功率开关应用而优化。其核心架构基于成熟的平面工艺，通过精心的单元设计和工艺控制，在250V的漏源电压（Vdss）额定值下，实现了低导通电阻与快速开关特性的出色平衡。

该器件在25°C壳温（Tc）条件下可支持高达14A的连续漏极电流，最大功率耗散为150W，展现出强大的电流处理与散热能力。其关键性能参数包括：在10V驱动电压（Vgs）和7A漏极电流条件下，导通电阻（Rds(On)）典型值低至280毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为15nC @ 10V，结合770pF @ 25V的输入电容（Ciss），意味着栅极驱动电路所需的驱动能量更小，有利于实现更高频率的开关操作并简化驱动设计。其栅源电压（Vgs）可承受±30V，提供了更宽的驱动安全裕度。

在电气特性方面，AOD458的阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V @ 250A，确保了良好的噪声免疫能力和明确的导通/关断状态。其宽广的工作结温范围（-50°C ~ 175°C）使其能够适应严苛的环境条件，从工业控制到消费电子等多种场景都能稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS总代理获取该产品及相关设计资源。

综合其参数特性，AOD458非常适用于需要高效功率转换和管理的领域。典型的应用场景包括开关模式电源（SMPS）中的初级侧开关、DC-DC转换器、电机驱动控制、逆变器以及各类电子设备的负载开关。其TO-252封装兼顾了功率处理能力和PCB空间利用率，是工程师在空间受限的中高功率设计中实现高性能与高可靠性的优选解决方案。

• 型号:AOD458
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 250V 14A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:770 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-50°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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