AONR66922技术参数

AONR66922是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）基于其先进的AlphaSGT技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直栅极结构，在8-DFN-EP（3.3x3.3）紧凑封装内实现了卓越的功率密度与电气性能平衡。其设计核心在于显著降低单位面积的导通电阻（R_DS(on)）和栅极电荷（Q_g），这直接转化为更低的传导损耗和开关损耗，为高效率功率转换应用提供了坚实的基础。

该MOSFET具备100V的漏源击穿电压（V_DSS），提供了宽裕的电压设计余量。其导通电阻在10V栅极驱动电压（V_GS）和15A漏极电流条件下，典型值低至9毫欧，确保了在导通状态下极低的功率耗散。同时，其栅极电荷（Q_g）最大值仅为46nC @ 10V，结合2.5V（最大值）的低栅极阈值电压（V_GS(th)），意味着它能够被快速驱动，非常适合高频开关应用，有助于减小驱动电路的复杂性和损耗。器件支持高达±20V的栅源电压，增强了应用的鲁棒性。

在接口与热性能方面，AONR66922采用表面贴装型8-DFN封装，底部带有裸露焊盘（EP），极大地优化了散热路径。其结壳热阻（R_θJC）极低，使得在壳温（T_C）条件下可持续承受高达50A的漏极电流和52W的功率耗散，而在环境温度（T_A）下则为15A和4.1W，这突显了其出色的热管理能力。其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 150°C）保证了其在苛刻环境下的可靠性。对于需要本地技术支持和供应链保障的设计师，可以通过AOS中国代理获取详细的设计资源与供货信息。

凭借其高耐压、低导通电阻、快速开关特性和优异的散热封装，AONR66922非常适用于对效率和功率密度有严苛要求的场景。典型应用包括工业电源、通信基础设施的DC-DC转换器、电机驱动控制、电池管理系统（BMS）以及各类高效同步整流电路。它是工程师在构建下一代高可靠性、紧凑型功率解决方案时的理想功率开关选择。

• 制造商产品型号：AONR66922
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 15A/50A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：AlphaSGT
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：15A（Ta），50A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：9 毫欧 @ 15A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：46nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2180pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：4.1W (Ta)，52W (Tc)
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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