AOT2904技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）旗下AlphaSGT产品系列的一员，AOT2904是一款采用先进屏蔽栅沟槽（Shielded Gate Trench）MOSFET技术的N沟道功率器件。该架构通过在单元结构中集成一个屏蔽电极，有效降低了栅极电荷（Qg）和栅漏电荷（Qgd），同时优化了电场分布，从而在击穿电压（Vdss）与导通电阻（Rds(on)）之间实现了出色的性能平衡。其设计核心在于显著降低开关损耗和导通损耗，这对于提升高频开关电源的整体效率至关重要。

该器件具备多项突出的电气特性。其漏源电压（Vdss）高达100V，确保了在工业级应用中的可靠性与安全性。在25°C壳温（Tc）条件下，连续漏极电流（Id）可达120A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻极低，在10V栅源驱动电压（Vgs）和20A漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为4.4毫欧，这直接转化为更低的导通压降和功率损耗。此外，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3.3V，与标准逻辑电平驱动兼容，而最大栅极总电荷（Qg）控制在135nC，这有助于简化驱动电路设计并进一步减少开关损耗。

在接口与热性能方面，AOT2904采用经典的TO-220通孔封装，便于安装和散热处理。其最大允许栅源电压（Vgs）为±20V，提供了充足的驱动安全裕量。器件的热设计能力出色，在壳温条件下最大功率耗散可达326W，结合其宽广的工作结温范围（-55°C至175°C），使其能够在苛刻的环境下稳定运行。对于需要批量采购和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS中国代理获取完整的产品资料、样品以及应用指导。

凭借其高电压、大电流、低导通电阻和优异的开关特性，这款MOSFET非常适用于对效率和功率密度有高要求的场合。典型应用包括工业电源中的同步整流、电机驱动与控制系统中的H桥或半桥拓扑、不间断电源（UPS）以及大功率DC-DC转换器。它是工程师在设计和优化高可靠性、高效率功率转换方案时的理想选择。

• 制造商产品型号：AOT2904
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 120A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：AlphaSGT
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：120A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.4 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：135nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：7085pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：326W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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