AONS1R6A70技术参数
- 制造厂商：AOS（Alpha and Omega Semiconductor，美国万代半导体）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-DFN-EP（5x6）
- 技术参数：MOSFET N-CH 700V 1.1A/4.6A 8DFN
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AONS1R6A70技术参数详情说明：
AONS1R6A70是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）基于其先进的aMOS技术平台开发的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的8-DFN-EP（5x6）表面贴装封装，专为要求高电压、高效率和高可靠性的应用而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，通过精密的芯片设计和封装工艺，实现了在高压条件下卓越的电气性能和热管理能力。
该MOSFET具备700V的高漏源击穿电压（Vdss），为离线式开关电源、功率因数校正（PFC）等应用提供了充足的电压裕量，增强了系统的鲁棒性。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压、1A电流条件下典型值仅为1.6欧姆，这一低导通特性直接转化为更低的传导损耗，有助于提升整体能效。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值8nC @ 10V）和输入电容（Ciss，最大值354pF @ 100V）显著降低了开关过程中的驱动损耗和开关损耗，使得器件在高速开关应用中也能保持高效率，并减轻了栅极驱动的负担。
在接口与关键参数方面，AONS1R6A70支持宽范围的栅极驱动电压，最大可达±30V，提供了设计的灵活性。其连续漏极电流在环境温度（Ta）25°C下为1.1A，在壳温（Tc）25°C下可达4.6A，结合高达78W（Tc）的功率耗散能力，表明其出色的电流处理与散热性能。该器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS一级代理获取此产品及相关服务。
凭借其高耐压、低损耗和快速开关的特性，AONS1R6A70非常适用于各类中低功率的AC-DC电源转换场景。典型应用包括开关电源（SMPS）的初级侧开关、LED照明驱动、家用电器辅助电源以及工业控制系统的功率模块。其紧凑的DFN封装也使其成为空间受限的现代电子设备中实现高效功率管理的理想选择。
- 制造商产品型号：AONS1R6A70
- 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
- 描述：MOSFET N-CH 700V 1.1A/4.6A 8DFN
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：aMOS
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：700V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：1.1A（Ta），4.6A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.6 欧姆 @ 1A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：8nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：354pF @ 100V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：4.1W（Ta），78W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：8-DFN-EP（5x6）
- 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。
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