AOSP21307技术参数

AOSP21307是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术的P沟道功率器件。该芯片采用表面贴装型8-SOIC封装，其核心设计旨在实现低导通电阻与高电流处理能力的平衡，为空间受限的现代电子设备提供高效的功率开关解决方案。其结构优化了电荷载流子的迁移路径，有效降低了传导损耗，确保了在宽温度范围内的稳定性能。

该器件的一个突出特性是其极低的导通电阻（Rds(On)），在10V栅极驱动电压和14A漏极电流条件下，最大值仅为11.5毫欧。这一特性直接转化为更低的功率损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在50nC（@10V），结合适中的输入电容，有助于实现快速的开关切换速度并降低驱动电路的损耗，这对于高频开关应用至关重要。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±25V，提供了良好的栅极保护裕量。

在电气参数方面，AOSP21307的额定漏源电压（Vdss）为30V，连续漏极电流（Id）在25°C环境温度下达14A，最大功耗为3.1W。其开启阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.3V，确保了与低电压逻辑电平信号的兼容性。该器件的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，使其能够适应严苛的工业环境。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过AOS中国代理获取详细的产品资料与采购服务。

凭借其高性能指标，这款MOSFET非常适合应用于需要高效率功率管理和负载开关的场合。典型应用包括直流-直流转换器中的负载开关、电池供电设备的电源路径管理、电机驱动中的反向极性保护，以及各类消费电子和工业控制模块中的功率分配单元。其紧凑的8-SOIC封装也使其成为空间优先级设计中的理想选择。

• 制造商产品型号：AOSP21307
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 30V 14A 8SOIC
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：14A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：11.5 毫欧 @ 14A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：50nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1995pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-SOIC
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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