AOW20S60技术参数

Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 推出的 AOW20S60 是一款采用TO-262封装的高压N沟道功率MOSFET。该器件基于AOS先进的aMOS技术平台构建，旨在为高功率密度和高效率应用提供优化的解决方案。其核心设计平衡了高耐压、低导通电阻与快速的开关特性，使其在严苛的电气环境中能够稳定可靠地工作，有效管理功率损耗并提升系统整体能效。

该MOSFET的突出特性在于其600V的漏源击穿电压(Vdss)和20A的连续漏极电流(Id)能力，这使其能够从容应对工业级AC-DC电源、电机驱动及光伏逆变器等场合中的高压大电流需求。在导通特性方面，其在10V栅极驱动电压、10A漏极电流条件下的导通电阻(Rds(on))典型值仅为199毫欧，较低的导通阻抗直接转化为更低的传导损耗，有助于减少发热并提升效率。同时，其栅极电荷(Qg)最大值控制在19.8nC，结合1038pF的输入电容(Ciss)，意味着器件具备较快的开关速度，有利于降低开关损耗，尤其适用于高频开关电源拓扑。

在接口与参数设计上，AOW20S60 提供了宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C结温）和高达266W的功率耗散能力，确保了其在恶劣环境下的鲁棒性。其栅源电压(Vgs)最大额定值为±30V，提供了足够的驱动安全裕量。标准的TO-262通孔封装不仅提供了良好的机械强度和散热路径，也便于在功率PCB板上进行可靠的焊接安装。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方AOS授权代理渠道获取该产品及相关设计资源。

凭借其高压、大电流和低损耗的特性组合，这款器件非常适合应用于服务器/通信电源的PFC（功率因数校正）电路、UPS（不间断电源）、工业电机控制驱动器以及新能源领域的太阳能微型逆变器中。在这些场景中，它常被用作主开关管或同步整流管，其性能直接影响到系统的转换效率、功率密度和长期可靠性，是工程师实现高效、紧凑型功率转换设计的优选功率开关元件之一。

• 型号:AOW20S60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-262
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO262
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:199 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1038 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:266W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOW20S60现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。