AOSP66920技术参数

AOSP66920是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）基于其先进的AlphaSGT技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的单元结构和沟槽栅工艺，在8-SOIC封装内实现了优异的性能平衡，其核心设计旨在降低导通损耗与开关损耗，提升系统整体能效与功率密度。

该MOSFET具备100V的漏源击穿电压（Vdss）与13.5A的连续漏极电流（Id）能力，为中等功率应用提供了可靠的电压与电流裕量。其关键优势在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、13.5A漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为8.5毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的效率。同时，器件拥有较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），典型值分别为50nC @ 10V和2500pF @ 50V，这有助于降低开关过程中的驱动损耗，提升开关频率，从而允许使用更小的磁性元件。

在电气接口与参数方面，AOSP66920的栅极阈值电压Vgs(th)最大值为2.5V，标准逻辑电平兼容，而驱动电压范围宽至4.5V至10V以获得最佳导通性能，其栅源电压最大耐受值为±20V，提供了良好的驱动鲁棒性。器件的功率耗散能力为3.1W，结合其表面贴装型8-SOIC封装和-55°C至150°C的宽结温工作范围，确保了其在严苛环境下的稳定性和可靠性。对于需要批量采购和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS一级代理获取完整的供应链服务与设计资源。

凭借其性能组合，该器件非常适合应用于需要高效功率转换和控制的场景，例如开关电源（SMPS）的初级侧或次级侧同步整流、DC-DC转换器、电机驱动控制以及各类工业电源模块。其低Rds(on)和高电流处理能力使其成为提升系统效率、减小方案尺寸的理想选择。

• 型号:AOSP66920
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 13.5A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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