AOWF15S65技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）aMOS系列中的一员，AOWF15S65是一款采用TO-262F封装的高压N沟道功率MOSFET。该器件基于先进的平面MOSFET技术构建，其核心设计旨在优化高压开关应用中的性能与可靠性。其结构采用了精密的单元布局和优化的栅极设计，以实现低栅极电荷与低导通电阻之间的良好平衡，这对于提升开关效率和降低导通损耗至关重要。

该MOSFET的显著特性在于其高达650V的漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业电源、电机驱动等场合中常见的电压应力和开关尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为15A，结合低至290毫欧（典型值@10V Vgs, 7.5A Id）的导通电阻（Rds(on)），确保了在导通状态下具有较低的功率耗散。其栅极驱动特性经过优化，最大栅源电压（Vgs）为±30V，而驱动电压（Vgs(th)）阈值最大为4V，便于与常见的控制器接口兼容。此外，较低的栅极总电荷（Qg，最大值17.2nC @ 10V）和输入电容（Ciss）有助于减少开关过程中的驱动损耗，提升高频开关性能，用户可通过官方AOS代理获取详细的设计支持与样品。

在电气参数方面，AOWF15S65在Tc=25°C时的最大功率耗散为28W，其通孔安装的TO-262F封装提供了良好的机械强度和散热能力。器件的工作结温范围宽广，从-55°C延伸至150°C，适应严苛的环境要求。这些参数共同定义了一款适用于高效率、高可靠性设计的功率开关器件。

凭借其高压、中电流和快速开关的能力，此器件非常适合于开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）级、DC-DC转换器、逆变器以及不间断电源（UPS）等应用。在电机控制领域，如变频器和伺服驱动中，它也能作为高效的功率开关元件。其稳健的设计使其成为要求高电压阻断能力和良好热管理的中高功率密度解决方案的理想选择。

• 制造商产品型号：AOWF15S65
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 650V 15A TO262F
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：aMOS
• 零件状态：不用於新
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：650V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：15A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：290 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：17.2nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：841pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：28W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：-
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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