AOSS21319C技术参数

AOSS21319C是一款由Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS)设计制造的P沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的平面MOSFET技术，在紧凑的SOT-23-3封装内实现了优异的电气性能与热性能平衡。其核心设计旨在提供极低的导通电阻与出色的开关特性，这对于提升系统效率、降低功率损耗至关重要。芯片内部结构经过优化，确保了在宽泛的工作温度范围内（-55°C至150°C结温）性能的稳定与可靠。

该MOSFET的显著特性包括其30V的漏源击穿电压(Vdss)和2.8A的连续漏极电流(Id)能力，使其能够胜任多种中低功率的开关与负载控制任务。其导通电阻(Rds(on))在10V驱动电压(Vgs)和2.8A电流条件下典型值仅为100毫欧，这意味着在导通状态下产生的传导损耗极低。同时，较低的栅极阈值电压(Vgs(th))最大值2.2V和较小的栅极电荷(Qg)最大值12nC，使其能够与多种低压逻辑电平（如3.3V或5V）的微控制器或驱动芯片直接兼容，简化了驱动电路设计，并有助于实现高速开关，减少开关损耗。

在接口与参数方面，器件支持高达±20V的栅源电压，提供了良好的栅极保护余量。其输入电容(Ciss)在15V Vds下最大值为320pF，结合低Qg特性，共同构成了快速开关的硬件基础。表面贴装的SOT-23-3封装形式使其非常适合于空间受限的现代电子设备，最大功率耗散能力为1.3W（环境温度Ta下）。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS中国代理获取产品、数据手册以及应用设计指导。

基于其综合性能，AOSS21319C非常适合应用于广泛的场景。在电源管理领域，常用于负载开关、电池反接保护、DC-DC转换器中的同步整流或高端开关。在便携式设备中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，它可用于功率分配和电路隔离。此外，在电机驱动、LED照明控制以及各类消费电子和工业控制模块的功率路径管理中，它也是一款高性价比的解决方案。

• 型号:AOSS21319C
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 2.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:320 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:3-SMD，SOT-23-3 变式
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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